SIHH21N60E-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.153 Ω
耗散功率 104 W
阈值电压 4 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 2015pF @100VVds
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 104000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 PowerPAK-8x8-4
外形尺寸
长度 8 mm
宽度 8 mm
高度 1 mm
封装 PowerPAK-8x8-4
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SIHH21N60E-T1-GE3
型号： SIHH21N60E-T1-GE3
描述：Trans MOSFET N-CH 600V 20A 4Pin PowerPAK EP T/R