SIHB22N60E-E3

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SIHB22N60E-E3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 227000 mW

输入电容Ciss 1920pF @100VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 227000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

高度 4.83 mm

封装 TO-252-3

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIHB22N60E-E3
型号: SIHB22N60E-E3
描述:Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3Pin2+Tab D2PAK

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