VISHAY SUM110N06-3M9H-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 60 V, 0.00325 ohm, 10 V, 3.4 V
The is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- 100% Rg tested
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- -55 to 175°C Operating temperature range
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- Low thermal resistance package
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- High threshold voltage at high temperature
针脚数 3
漏源极电阻 0.00325 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 375 W
阈值电压 3.4 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
上升时间 160 ns
输入电容Ciss 15800pF @25VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3750 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263
长度 10.414 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263
工作温度 -55℃ ~ 175℃
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SUM110N06-3M9H-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
BUK964R2-60E 恩智浦 | 功能相似 | SUM110N06-3M9H-E3和BUK964R2-60E的区别 |