SIHG17N60D-E3

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SIHG17N60D-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.275 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 277.8 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 56 ns

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SIHG17N60D-E3
描述:VISHAY SIHG17N60D-E3 Power MOSFET, N Channel, 17A, 600V, 0.275Ω, 10V, 3V

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