VISHAY SIHB24N65E-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.12 ohm, 10 V, 2 V
The is a 700V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, server, telecom and PFC power supplies, solar, motor drives, induction heating, renewable energy and welding applications.
- .
- Low figure-of-meritFOM RON x Qg
- .
- Low input capacitance CISS
- .
- Reduced switching and conduction losses
- .
- Ultra low gate charge
- .
- Avalanche energy rated
- .
- Halogen-free
针脚数 3
漏源极电阻 0.12 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 250 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 84 ns
输入电容Ciss 2740pF @10VVds
下降时间 69 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube
制造应用 Portable Devices, Lighting, Computers & Computer Peripherals, Power Management, Communications & Networking, Motor Drive & Control, Industrial, Alternative Energy
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SIHB24N65E-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SIHB24N65E-E3 威世 | 完全替代 | SIHB24N65E-GE3和SIHB24N65E-E3的区别 |