SIHP30N60E-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SIHP30N60E-E3中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.104 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 32 ns

下降时间 36 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIHP30N60E-E3

型号： SIHP30N60E-E3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：E系列功率MOSFET E Series Power MOSFET

替代型号SIHP30N60E-E3

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SIHP30N60E-E3和SIHP30N60E-GE3的区别