N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 PFC 和开关模式电源 SMPS。### 特点低灵敏值 FOM RDSon x Qg 低输入电容 Ciss 低接通电阻(RDS(接通)) 超低栅极电荷 Qg 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
The is a 650V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, server, telecom and PFC power supplies, solar, motor drives, induction heating, renewable energy and welding applications.
针脚数 3
漏源极电阻 0.104 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 250 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 600 V
输入电容Ciss 2600pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263
包装方式 Tube
制造应用 Portable Devices, Lighting, Computers & Computer Peripherals, Power Management, Communications & Networking, Motor Drive & Control, Industrial, Alternative Energy
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
SIHB30N60E-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB60R099CPATMA1 英飞凌 | 功能相似 | SIHB30N60E-GE3和IPB60R099CPATMA1的区别 |