SIHB30N60E-GE3

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SIHB30N60E-GE3概述

N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay SemiconductorVishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 PFC 和开关模式电源 SMPS。### 特点低灵敏值 FOM RDSon x Qg 低输入电容 Ciss 低接通电阻(RDS(接通)) 超低栅极电荷 Qg 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

The is a 650V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, server, telecom and PFC power supplies, solar, motor drives, induction heating, renewable energy and welding applications.

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Low figure-of-meritFOM RON x Qg
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Low input capacitance CISS
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Reduced switching and conduction losses
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Ultra low gate charge
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Avalanche energy rated
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Halogen-free
SIHB30N60E-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.104 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 2600pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263

其他

包装方式 Tube

制造应用 Portable Devices, Lighting, Computers & Computer Peripherals, Power Management, Communications & Networking, Motor Drive & Control, Industrial, Alternative Energy

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIHB30N60E-GE3
型号: SIHB30N60E-GE3
描述:N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay Semiconductor Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 PFC 和开关模式电源 SMPS。 ### 特点 低灵敏值 FOM RDSon x Qg 低输入电容 Ciss 低接通电阻(RDS(接通)) 超低栅极电荷 Qg 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
替代型号SIHB30N60E-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SIHB30N60E-GE3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

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IPB60R099CPATMA1

英飞凌

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