SIHG30N60E-E3

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SIHG30N60E-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.104 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 250 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 32 ns

输入电容Ciss 2600pF @100VVds

下降时间 36 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 5.31 mm

高度 20.7 mm

封装 TO-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIHG30N60E-E3
型号: SIHG30N60E-E3
描述:N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay Semiconductor Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 PFC 和开关模式电源 SMPS。 ### 特点 低灵敏值 FOM RDSon x Qg 低输入电容 Ciss 低接通电阻(RDS(接通)) 超低栅极电荷 Qg 快速切换 减少切换和传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
替代型号SIHG30N60E-E3
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