SIHG33N60EF-GE3

SIHG33N60EF-GE3图片1
SIHG33N60EF-GE3图片2
SIHG33N60EF-GE3图片3
SIHG33N60EF-GE3图片4
SIHG33N60EF-GE3图片5
SIHG33N60EF-GE3图片6
SIHG33N60EF-GE3图片7
SIHG33N60EF-GE3图片8
SIHG33N60EF-GE3图片9
SIHG33N60EF-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.085 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 278 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 3454pF @100VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 278 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 5.31 mm

高度 20.82 mm

封装 TO-247-3

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIHG33N60EF-GE3
型号: SIHG33N60EF-GE3
描述:VISHAY  SIHG33N60EF-GE3  场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 33A, TO-247AC-3
替代型号SIHG33N60EF-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SIHG33N60EF-GE3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

IPW60R099CP

英飞凌

功能相似

SIHG33N60EF-GE3和IPW60R099CP的区别

IPW60R099CPFKSA1

英飞凌

功能相似

SIHG33N60EF-GE3和IPW60R099CPFKSA1的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司