N沟道 20 V 0.0014 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - PolarPAK
The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- -55 to 150°C Operating temperature range
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin3+Tab TO-220AB
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 85A 3-Pin3+Tab TO-220AB
富昌:
单 N沟道 20 V 0.0014 Ohms 表面贴装 功率Mosfet - PolarPAK
Newark:
# VISHAY SUP85N10-10-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 85 A, 100 V, 12 mohm, 10 V, 3 V
漏源极电阻 0.012 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 250 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 85.0 A
上升时间 90 ns
输入电容Ciss 6550pF @25VVds
下降时间 130 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
高度 9.01 mm
封装 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 175℃
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SUP85N10-10-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFB4410ZPBF 英飞凌 | 功能相似 | SUP85N10-10-E3和IRFB4410ZPBF的区别 |
SUP90N10-8M8P-E3 威世 | 功能相似 | SUP85N10-10-E3和SUP90N10-8M8P-E3的区别 |