SI1315DL-T1-GE3

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SI1315DL-T1-GE3概述

VISHAY  SI1315DL-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -900 mA, -8 V, 0.28 ohm, -4.5 V, -400 mV

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 8V 0.8A 3-Pin SC-70 T/R


Allied Electronics:
SI1315DL-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 0.7 A, 8 V, 3-Pin SOT-323


安富利:
Trans MOSFET P-CH 8V 0.8A 3-Pin SC-70 T/R


富昌:
Si1315DL 系列 8 V 336 mOhm 1.7 nC 表面贴装 P沟道 MOSFET - SOT-323


Verical:
Trans MOSFET P-CH 8V 0.8A 3-Pin SC-70 T/R


Newark:
# VISHAY  SI1315DL-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -900 mA, -8 V, 0.28 ohm, -4.5 V, -400 mV


SI1315DL-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.28 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 400 mW

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 112pF @4VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 0.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 -50℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI1315DL-T1-GE3
型号: SI1315DL-T1-GE3
描述:VISHAY  SI1315DL-T1-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -900 mA, -8 V, 0.28 ohm, -4.5 V, -400 mV

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