SI3442CDV-T1-GE3

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SI3442CDV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.0225 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.7 W

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 335pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.7 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 TSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI3442CDV-T1-GE3
型号: SI3442CDV-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor

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