SI1427EDH-T1-GE3概述
VISHAY SI1427EDH-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -400 mV
The is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
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- 2000V ESD performance
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- Built in ESD protection with Zener diode
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- 100% Rg tested
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- -55 to 150°C Operating temperature range
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- Halogen-free
SI1427EDH-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.05 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.8 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.8 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial, Portable Devices
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI1427EDH-T1-GE3
型号： SI1427EDH-T1-GE3
描述：VISHAY SI1427EDH-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -400 mV