SIRA34DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SIRA34DP-T1-GE3图片1

SIRA34DP-T1-GE3中文资料参数规格

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIRA34DP-T1-GE3

型号： SIRA34DP-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8