SIA406DJ-T1-GE3

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SIA406DJ-T1-GE3概述

VISHAY  SIA406DJ-T1-GE3  晶体管, N沟道

* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition * TrenchFET® Power MOSFET * New Thermally Enhanced PowerPAK® SC-70 Package * Small Footprint Area * Low On-Resistance * 100 % Rg Tested * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


富昌:
SiA406DJ Series N-Channel 12 V 0.0198 Ohm Power Mosfet -PowerPAK SC-70-6L-Single


Verical:
Trans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


Newark:
# VISHAY  SIA406DJ-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 4.5 A, 12 V, 19.8 mohm, 4.5 V, 1 V


SIA406DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.0198 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.5 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 PowerPAK-SC70-6

外形尺寸

封装 PowerPAK-SC70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA406DJ-T1-GE3
型号: SIA406DJ-T1-GE3
描述:VISHAY  SIA406DJ-T1-GE3  晶体管, N沟道

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