VISHAY SI1012CR-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 630 mA, 20 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 400 mV
The is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
- .
- 1.2V Rated voltage
- .
- 100% Rg tested
- .
- 1000V Gate-source ESD protected
- .
- Halogen-free
针脚数 3
漏源极电阻 0.33 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 240 mW
阈值电压 400 mV
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 43pF @10VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.24 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75
长度 1.68 mm
宽度 0.86 mm
高度 0.8 mm
封装 SC-75
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Portable Devices, Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI1012CR-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI1012R-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI1012CR-T1-GE3和SI1012R-T1-GE3的区别 |