SI2309CDS-T1-E3

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SI2309CDS-T1-E3概述

P通道60 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 60-V D-S MOSFET

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 1.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
P-沟道 60 V 0.345 Ohm 1.7 W 表面贴装 Mosfet - SOT-23-3


力源芯城:
-60V,-1.6P沟道MOSFET


SI2309CDS-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1000 mW

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 210pF @30VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

高度 1.02 mm

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI2309CDS-T1-E3
型号: SI2309CDS-T1-E3
描述:P通道60 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 60-V D-S MOSFET

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