SI8817DB-T2-E1

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SI8817DB-T2-E1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 900 mW

输入电容Ciss 615pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 BGA-4

外形尺寸

高度 0.2 mm

封装 BGA-4

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI8817DB-T2-E1
型号: SI8817DB-T2-E1
描述:Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 4Pin Micro Foot T/R

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