SIA447DJ-T1-GE3

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SIA447DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.011 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 19 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 19 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.7 mm

高度 0.8 mm

封装 SC-70

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SIA447DJ-T1-GE3
型号: SIA447DJ-T1-GE3
描述:P 通道 Gen III MOSFET,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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