VISHAY SI2306BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V
The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- 100% Rg tested
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- -55 to 150°C Operating temperature range
欧时:
### N 通道 MOSFET，30V 至 50V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin TO-236 T/R
富昌:
单 N 沟道 30 V 0.047 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - TO-236
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# VISHAY SI2306BDS-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 3.16 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 3 V
针脚数 3
漏源极电阻 0.038 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.25 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 3.16 A
上升时间 12 ns
热阻 100℃/W RθJA
输入电容Ciss 305pF @15VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.75 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-236
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.02 mm
封装 TO-236
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI2306BDS-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI2304DDS-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI2306BDS-T1-E3和SI2304DDS-T1-GE3的区别 |
SI2306BDS-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI2306BDS-T1-E3和SI2306BDS-T1-GE3的区别 |
IRLML0030TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | SI2306BDS-T1-E3和IRLML0030TRPBF的区别 |