SI4134DY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4134DY-T1-GE3概述

VISHAY SI4134DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 11.5 mohm, 10 V, 1.8 V

The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC conversion applications.

SI4134DY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0115 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 1.8 V

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 846pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI4134DY-T1-GE3

型号： SI4134DY-T1-GE3

描述：VISHAY SI4134DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 11.5 mohm, 10 V, 1.8 V

替代型号SI4134DY-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4134DY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
SI4410DYTRPBF 英飞凌	功能相似	SI4134DY-T1-GE3和SI4410DYTRPBF的区别
FDS8878 飞兆/仙童	功能相似	SI4134DY-T1-GE3和FDS8878的区别
IRF7811AVPBF 英飞凌	功能相似	SI4134DY-T1-GE3和IRF7811AVPBF的区别