SI3493BDV-T1-GE3

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SI3493BDV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2080 mW

上升时间 72 ns

输入电容Ciss 1805pF @10VVds

下降时间 84 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2080 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TSOP-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3493BDV-T1-GE3
型号: SI3493BDV-T1-GE3
描述:MOSFET 20V 8A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V

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