SI4485DY-T1-GE3

SI4485DY-T1-GE3图片1
SI4485DY-T1-GE3图片2
SI4485DY-T1-GE3图片3
SI4485DY-T1-GE3图片4
SI4485DY-T1-GE3图片5
SI4485DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.035 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 5 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4485DY-T1-GE3
型号: SI4485DY-T1-GE3
描述:30 V 42 mOhmS SO-8 无卤

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司