SI4620DY-T1-GE3

SI4620DY-T1-GE3图片1
SI4620DY-T1-GE3图片2
SI4620DY-T1-GE3图片3
SI4620DY-T1-GE3图片4
SI4620DY-T1-GE3概述

N 通道 MOSFET + 肖特基组合,Vishay Semiconductor

N-Channel MOSFET + Schottky Combo,


欧时:
### N 通道 MOSFET + 肖特基组合,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R


Allied Electronics:
SI4620DY-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin SOIC N T/R


SI4620DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2000 mW

上升时间 36 ns

输入电容Ciss 520pF @15VVds

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4620DY-T1-GE3
型号: SI4620DY-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET + 肖特基组合,Vishay Semiconductor

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司