SIA408DJ-T1-GE3

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SIA408DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.053 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.4 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK-SC70-6

外形尺寸

长度 2.05 mm

宽度 2.05 mm

高度 0.75 mm

封装 PowerPAK-SC70-6

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIA408DJ-T1-GE3
型号: SIA408DJ-T1-GE3
描述:N沟道30 V (D -S )的MOSFET N-Channel 30 V D-S MOSFET

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