SI7114ADN-T1-GE3

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SI7114ADN-T1-GE3概述

VISHAY  SI7114ADN-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 11.7A, POWERPAK, 整卷

**Features:

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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**

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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**

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* 100% Rg and UIS Tested**

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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**

Applications:

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* Switch Mode Power Supplies**

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* Personal Computers and Servers**

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* Telecom Bricks

* VRMs and POL


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


富昌:
N-Channel 30 V 7.5 mΩ 21 nC TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK- 1212-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


SI7114ADN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.01 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.7 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 18.3 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 1230pF @15VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 39 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

长度 3.15 mm

宽度 3.15 mm

高度 1.07 mm

封装 1212

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7114ADN-T1-GE3
型号: SI7114ADN-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7114ADN-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 11.7A, POWERPAK, 整卷
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