SI7686DP-T1-E3

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SI7686DP-T1-E3概述

N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFET

* Halogen-free available * TrenchFET® Power MOSFET * New Low Thermal Resistance PowerPAK® Package with Low 1.07 mm Profile * Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation * 100 % Rg Tested


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 17.9A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
单 N 沟道 30 V 0.0095 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK SO-8


Newark:
# VISHAY  SI7686DP-T1-E3  MOSFET Transistor, N Channel, 35 A, 30 V, 0.011 ohm, 4.5 V, 3 V


SI7686DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.011 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 37.9 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7686DP-T1-E3
型号: SI7686DP-T1-E3
描述:N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFET

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