VISHAY SI4403CDY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -13.4 A, -20 V, 0.0125 ohm, -4.5 V, -400 mV
The is a 1.8VGS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for adaptor switch, high current load switch and notebook applications.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
针脚数 8
漏源极电阻 0.0125 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI4403CDY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
DMP2022LSS-13 美台 | 功能相似 | SI4403CDY-T1-GE3和DMP2022LSS-13的区别 |
SI4403BDY-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI4403CDY-T1-GE3和SI4403BDY-T1-GE3的区别 |