SI5471DC-T1-GE3

SI5471DC-T1-GE3图片1
SI5471DC-T1-GE3图片2
SI5471DC-T1-GE3图片3
SI5471DC-T1-GE3图片4
SI5471DC-T1-GE3图片5
SI5471DC-T1-GE3概述

SI5471 系列 20 V 0.02 Ohm 96 nC P沟道 表面贴装 CHIPFET Mosfet

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### P 通道 Gen III MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R


Allied Electronics:
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8


安富利:
* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition * TrenchFET® Power MOSFET * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC


富昌:
SI5471 系列 20 V 0.02 Ohm 96 nC P沟道 表面贴装 CHIPFET Mosfet


Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin Chip FET T/R


Newark:
# VISHAY  SI5471DC-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -6 A, -20 V, 20 mohm, -4.5 V, -1.1 V


SI5471DC-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.02 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 6.3 W

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -6.00 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 6.3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1206

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.1 mm

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5471DC-T1-GE3
型号: SI5471DC-T1-GE3
描述:SI5471 系列 20 V 0.02 Ohm 96 nC P沟道 表面贴装 CHIPFET Mosfet

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台