SI8439DB-T1-E1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
漏源极电阻 0.02 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 2.7 W
上升时间 25 ns
下降时间 210 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.7 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 MicroFoot-4
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.31 mm
封装 MicroFoot-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI8439DB-T1-E1
型号： SI8439DB-T1-E1
描述：VISHAY SI8439DB-T1-E1 晶体管, MOSFET, P沟道, -9.2 A, -8 V, 0.02 ohm, -4.5 V, -400 mV