SI5424DC-T1-GE3

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SI5424DC-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 30 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 2.3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.00 A

输入电容Ciss 950pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

引脚数 8

封装 1206

外形尺寸

高度 1.1 mm

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5424DC-T1-GE3
型号: SI5424DC-T1-GE3
描述:VISHAY  SI5424DC-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 6A, 1206, 整卷

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