N 通道 MOSFET，TrenchFET® Gen IV，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for synchronous rectification, high power density DC-to-DC, VRMs and embedded DC-to-DC applications.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
针脚数 8
漏源极电阻 0.00205 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 62.5 W
阈值电压 1.1 V
输入电容 3595pF @15V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
热阻 4.5℃/W RθJC
输入电容Ciss 3595pF @15VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
长度 6.25 mm
宽度 5.26 mm
高度 1.12 mm
封装 PowerPAKSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SIRA06DP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SIRA04DP-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SIRA06DP-T1-GE3和SIRA04DP-T1-GE3的区别 |