SI7309DN-T1-E3

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SI7309DN-T1-E3概述

P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 available * TrenchFET® Power MOSFET * Low Thermal Resistance PowerPAK® Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 3.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 3.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


富昌:
Si7309DN 系列 60 V 8 A 115 mOhm 表面贴装 P 沟道 MOSFET - PowerPAK 1212-8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 3.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Newark:
# VISHAY  SI7309DN-T1-E3  MOSFET Transistor, P Channel, -8 A, -60 V, 146 mohm, 20 V, -3 V


SI7309DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.146 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3.2 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids -8.00 A

输入电容Ciss 600pF @30VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 3200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 3.05 mm

高度 1.04 mm

封装 1212

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7309DN-T1-E3
型号: SI7309DN-T1-E3
描述:P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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