SIR410DP-T1-GE3

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SIR410DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.004 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 36 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 20 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SIR410DP-T1-GE3
描述:VISHAY  SIR410DP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 20 V, 4 mohm, 10 V, 1.2 V

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