SI4100DY-T1-GE3

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SI4100DY-T1-GE3概述

N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for high frequency boost converter and LED backlight for LCD TV applications.

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100% UIS tested
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Halogen-free
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-55 to 150°C Operating temperature range

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R


Allied Electronics:
SI4100DY-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 6.8 A, 100 V, 8-Pin SOIC


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
Si4100DY 系列 100 V 6.8 A 63 mOhm 表面贴装 N沟道 MOSFET - SO-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# VISHAY  SI4100DY-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 6.8 A, 100 V, 51 mohm, 10 V, 2 V


SI4100DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.051 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 6 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 600pF @50VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 6 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 LED Lighting, Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SI4100DY-T1-GE3
型号: SI4100DY-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
替代型号SI4100DY-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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