VISHAY SI4430BDY-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1 V
The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- 100% Rg tested
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- -55 to 150°C Operating temperature range
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
安富利:
* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available * TrenchFET® Power MOSFETs * 100 % Rg Tested
富昌:
单通道 N 沟道 30 V 0.0045 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# VISHAY SI4430BDY-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 14 A, 30 V, 0.0037 ohm, 10 V, 1 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.0037 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI4430BDY-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF8788PBF 英飞凌 | 功能相似 | SI4430BDY-T1-E3和IRF8788PBF的区别 |
IRF7862PBF 英飞凌 | 功能相似 | SI4430BDY-T1-E3和IRF7862PBF的区别 |