INFINEON SPS02N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V
N-Channel 650V 1.8A Tc 25W Tc Through Hole PG-TO251-3
得捷:
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 1.8A IPAK-3 CoolMOS C3
e络盟:
INFINEON SPS02N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 1.8A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 1.8A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
Newark:
# INFINEON SPS02N60C3 Power MOSFET, N Channel, 1.8 A, 650 V, 2.7 ohm, 10 V, 3 V
针脚数 3
漏源极电阻 2.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 1.80 A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 200pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPS02N60C3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPP02N60C3HKSA1 英飞凌 | 完全替代 | SPS02N60C3和SPP02N60C3HKSA1的区别 |
SPU02N60C3BKMA1 英飞凌 | 完全替代 | SPS02N60C3和SPU02N60C3BKMA1的区别 |
SPU02N60C3 英飞凌 | 类似代替 | SPS02N60C3和SPU02N60C3的区别 |