SI4812BDY-T1-E3

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SI4812BDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.013 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.4 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 9.50 A

上升时间 13 ns

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.55 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4812BDY-T1-E3
型号: SI4812BDY-T1-E3
描述:MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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