SIR818DP-T1-GE3

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SIR818DP-T1-GE3概述

N-沟道 30 V 0.0028 Ohm 69 W 表面贴装 功率 MosFet - PowerPAK-SO-8

* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition * TrenchFET® Gen III Power MOSFET * 100 % Rg and UIS Tested * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerPAK SO T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
单 N-沟道 30 V 0.0028 Ohm 69 W 表面贴装 功率 MosFet - PowerPAK-SO-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerPAK SO T/R


SIR818DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

上升时间 23 ns

下降时间 12 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIR818DP-T1-GE3
型号: SIR818DP-T1-GE3
描述:N-沟道 30 V 0.0028 Ohm 69 W 表面贴装 功率 MosFet - PowerPAK-SO-8

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