SI7850DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7850DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.031 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.8 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 10.3 A

上升时间 10 ns

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SI7850DP-T1-GE3

型号： SI7850DP-T1-GE3

描述：VISHAY SI7850DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 60V, 10.3A, SOIC, 整卷

替代型号SI7850DP-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI7850DP-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
IRFH5406TRPBF 英飞凌	功能相似	SI7850DP-T1-GE3和IRFH5406TRPBF的区别

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SI7850DP-T1-GE3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

IRFH5406TRPBF

英飞凌

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