SI7405BDN-T1-GE3

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SI7405BDN-T1-GE3概述

P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 12V 13.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Allied Electronics:
SI7405BDN-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 11 A, 12 V, 8-Pin PowerPAK 1212


富昌:
P沟道 12 V 0.013 Ω 115 nC 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-1212-8


Verical:
Trans MOSFET P-CH 12V 13.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Newark:
# VISHAY  SI7405BDN-T1-GE3  MOSFET Transistor, P Channel, -16 A, -12 V, 0.009 ohm, -4.5 V, -1 V


SI7405BDN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.024 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3.6 W

漏源极电压Vds -12.0 V

连续漏极电流Ids -16.0 A

输入电容Ciss 3500pF @6VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 33 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

长度 3.15 mm

宽度 3.15 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAK-1212-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7405BDN-T1-GE3
型号: SI7405BDN-T1-GE3
描述:P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor

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