SIR402DP-T1-GE3

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SIR402DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.048 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 4.2 W

阈值电压 20 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 35.0 A

上升时间 20 ns

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: SIR402DP-T1-GE3
描述:N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V D-S MOSFET

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