SIR438DP-T1-GE3

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SIR438DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.00145 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 25 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIR438DP-T1-GE3
型号: SIR438DP-T1-GE3
描述:MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

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