SUD06N10-225L-GE3概述
VISHAY SUD06N10-225L-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 100 V, 0.16 ohm, 10 V
The is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- Halogen-free
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- -55 to 150°C Operating temperature range
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin2+Tab DPAK
SUD06N10-225L-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.16 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 16.7 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 240pF @25VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SUD06N10-225L-GE3
型号： SUD06N10-225L-GE3
描述：VISHAY SUD06N10-225L-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 100 V, 0.16 ohm, 10 V