SI7423DN-T1-E3概述
VISHAY SI7423DN-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 11.7A, POWERPAK
The is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for battery switch applications.
- .
- New PowerPAK® package low thermal resistance, RthJC
- .
- New PowerPAK® package low 1.07mm profile
- .
- -55 to 150°C Operating temperature range
SI7423DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.014 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids -11.7 A
上升时间 10 ns
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 1212
外形尺寸
封装 1212
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI7423DN-T1-E3
型号： SI7423DN-T1-E3
描述：VISHAY SI7423DN-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 11.7A, POWERPAK
替代型号SI7423DN-T1-E3
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI7423DN-T1-E3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI7121ADN-T1-GE3 威世 | 功能相似 | SI7423DN-T1-E3和SI7121ADN-T1-GE3的区别 |