SQJ412EP-T1-GE3

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SQJ412EP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0034 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 83 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 40 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

封装 PowerPAK SO

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号: SQJ412EP-T1-GE3
描述:VISHAY  SQJ412EP-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 40 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2 V

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