SI4166DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0032 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 6.5 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 2730pF @15VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI4166DY-T1-GE3
型号： SI4166DY-T1-GE3
描述：VISHAY SI4166DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 30.5 A, 30 V, 0.0032 ohm, 10 V, 1.2 V