



VISHAY SI7450DP-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 整卷
**Features:
* **Halogen-Free Option Available
* Low-Side Switching
* Low On-Resistance: 5 Ω
* Low Threshold: 0.9 V Typ.
* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.
* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated
* ESD Protected: 2000 V
**Applications:
**
* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories
* Battery Operated Systems
* Power Supply Converter Circuits
* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
贸泽:
MOSFET 200V 5.3A 5.2W
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
富昌:
单 N 沟道 200 V 0.08 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-SO-8
Newark:
# VISHAY SI7450DP-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 5.3 A, 200 V, 80 mohm, 10 V, 2 V
额定电压DC 20.0 V
额定电流 5.30 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.08 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5.2 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 5.30 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerPAKSO-8
长度 5.99 mm
高度 1.07 mm
封装 PowerPAKSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free