VISHAY SI4477DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -26.6 A, -20 V, 0.0051 ohm, -4.5 V, -1.5 V
The is a -20V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- .
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- .
- 100% Rg Tested
- .
- 100% UIS Tested
针脚数 8
漏源极电阻 0.0051 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 3 W
漏源极电压Vds -20.0 V
连续漏极电流Ids -26.6 A
上升时间 42 ns
下降时间 42 ns
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SI4477DY-T1-GE3 VISHAY 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI4421DY-T1-GE3 威世 | 类似代替 | SI4477DY-T1-GE3和SI4421DY-T1-GE3的区别 |