SIR812DP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIR812DP-T1-GE3概述

VISHAY SIR812DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1 V

The is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for motor control, load switch and O-ring applications.

SIR812DP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0011 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 104 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 10240pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 6250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号： SIR812DP-T1-GE3

描述：VISHAY SIR812DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0011 ohm, 10 V, 1 V